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IRLR/U4343PbF & IRLU4343-701PbF
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ. Max. Units
Conditions
BV DSS
?Β V DSS / ? T J
R DS(on)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
55
–––
–––
–––
15
42
–––
–––
50
V
mV/°C
m ?
V GS = 0V, I D = 250μA
Reference to 25°C, I D = 1mA
V GS = 10V, I D = 4.7A
–––
57
65
V GS = 4.5V, I D = 3.8A
V GS(th)
? V GS(th) / ? T J
I DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
1.0
–––
–––
–––
-4.4
–––
–––
–––
2.0
V
mV/°C
μA
V DS = V GS , I D = 250μA
V DS = 55V, V GS = 0V
–––
–––
25
V DS = 55V, V GS = 0V, T J = 125°C
I GSS
g fs
Q g
Q gs
Q gd
Q godr
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
8.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
28
3.5
9.5
15
5.7
19
23
5.3
740
150
59
100
-100
–––
42
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nA
S
ns
pF
V GS = 20V
V GS = -20V
V DS = 25V, I D = 19A
V DS = 44V
V GS = 10V
I D = 19A
See Fig. 6 and 19
V DD = 28V, V GS = 10V
I D = 19A
R G = 2.5 ?
V GS = 0V
V DS = 50V
? = 1.0MHz, See Fig.5
C oss
L D
Effective Output Capacitance
Internal Drain Inductance
–––
–––
250
4.5
–––
–––
V GS = 0V, V DS = 0V to -44V
Between lead,
D
nH
6mm (0.25in.)
G
L S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
from package
S
and center of die contact
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
–––
160
mJ
I AR
E AR
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
See Fig. 14, 15, 17a, 17b
A
mJ
Diode Characteristics
Parameter
Min.
Typ. Max. Units
Conditions
I S @ T C = 25°C Continuous Source Current
(Body Diode)
–––
–––
26
A
MOSFET symbol
showing the
I SM
Pulsed Source Current
–––
–––
80
integral reverse
(Body Diode)
p-n junction diode.
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
52
100
1.2
78
150
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 19A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 19A
di/dt = 100A/μs
2
www.irf.com
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